用PAA模板法实现硅基纳米孔阵列结构

作     者：白安琪 胡迪 丁武昌 苏少坚 胡炜玄 薛春来 樊中朝 成步文 俞育德 王启明 Bai An-Qi;Hu Di;Ding Wu-Chang;Su Shao-Jian;Hu Wei-Xuan;Xue Chun-Lai;Fan Zhong-Chao;Cheng Bu-Wen;Yu Yu-De;Wang Qi-Ming

作者机构：中国科学院半导体所集成光电子国家重点实验室北京100083 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2009年第58卷第7期

页      面：4997-5001页

核心收录：

学科分类：07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家重点基础研究发展计划(批准号:2007CB613404) 国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA03Z415) 国家自然科学基金(批准号:60676005)资助的课题~~ 

主　　题：多孔阳极氧化铝模板 硅基纳米孔阵列结构 图形转移 

摘      要：用二次阳极氧化方法制备出分立、双向贯通并且超薄(500—1000 nm)的多孔阳极氧化铝膜,贴合到硅片上进行干法刻蚀,实现图形转移,得到了硅基纳米孔阵列结构,并对工艺中影响图形转移质量的因素进行了探索.扫描电镜(SEM)测试结果表明该途径得到的纳米结构孔形态均匀且大面积有序,孔深度可达到125 nm.对该样品进行热氧化处理后进行光致发光(PL)测试,结果表明其光致发光机理是基于通常较微弱的TO声子辅助的硅带边发光,并实现了显著发光增强,对这种增强效果的物理机理进行了理论分析.该结构具有的独特光学特性为利用这一途径改变硅的弱发光性质,乃至实现硅基高效发光带来曙光.