阻变式存储器存储机理

作     者：王永 管伟华 龙世兵 刘明 谢常青 WANG Yong GUAN Wei-Hua LONG Shi-Bing LIU Ming XIE Chang-Qing(Key Laboratory of Nano-Fabrication and Novel Devices Integrated Technology,Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China)

作者机构：中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室北京100029 

出 版 物：《物理》 (Physics)

年 卷 期：2008年第37卷第12期

页      面：870-874页

学科分类：08[工学] 0803[工学-光学工程] 081201[工学-计算机系统结构] 0812[工学-计算机科学与技术（可授工学、理学学位）] 

基　　金：国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB302706) 国家自然科学基金(批准号:90607022 90401002 90207004 60236010 60506005 60390071)资助项目 

主　　题：非挥发性 阻变式存储器(RRAM) 综述 空间电荷限制电流(SCLC) 细丝 

摘      要：阻变式存储器(resistive random access memory,RRAM)是以材料的电阻在外加电场作用下可在高阻态和低阻态之间实现可逆转换为基础的一类前瞻性下一代非挥发存储器.它具有在32nm节点及以下取代现有主流Flash存储器的潜力,成为目前新型存储器的一个重要研究方向.但阻变式存储器的电阴转变机理不明确,制约它的进一步研发与应用.文章对阻变式存储器的体材料中几种基本电荷输运机制进行了归纳,总结了目前对阻变式存储器存储机理的理论模型.