PIN管的延迟击穿性能初步实验研究

作     者：孙铁平 曾正中 丛培天 SUN Tie-ping;ZENG Zheng-zhong;CONG Pei-tian

作者机构：西北核技术研究所陕西西安710024 

出 版 物：《强激光与粒子束》 (High Power Laser and Particle Beams)

年 卷 期：2005年第17卷第2期

页      面：317-320页

核心收录：

学科分类：080902[工学-电路与系统] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 

基　　金：国家自然科学基金资助课题(10035020) 

主　　题：DBD器件 PIN二极管 延迟击穿 

摘      要：延迟击穿器件(DBD)是一种新型半导体开关。研究了国产 PIN二极管的延迟击穿效应,主要进行了单管、串联双管和串并联多管阵列PIN二极管器件的延迟击穿实验。实验结果显示,单管、双管和多管阵列PIN器件都可以陡化输入脉冲前沿,获得快前沿的输出脉冲。单管工作电压 2.2 kV,脉冲前沿陡度由0 95 kV/ns提高到1.37 kV/ns;双管工作电压4.2 kV,脉冲前沿陡度由1.7 kV/ns提高到2.3 kV/ns;多管阵列工作电压8.0 kV,脉冲前沿陡度由2.4 kV/ns提高到3.2 kV/ns。