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模拟型IGBT管接触引弧GTAW电源的研究

Investigation on Analogue Insulated Gate Bipolar Transistor Power Source of Gas Tungsten Arc Welding with Touch Igniting Technique

作     者:李铸国 吴毅雄 黄坚 赵颖 LI Zhu guo, WU Yi xiong, HUANG Jian, ZHAO Yin (School of Materials Science and Eng., Shanghai Jiaotong Univ., Shanghai 200030, China)

作者机构:上海交通大学材料科学与工程学院上海200030 

出 版 物:《上海交通大学学报》 (Journal of Shanghai Jiaotong University)

年 卷 期:2000年第34卷第12期

页      面:1615-1617,1630页

核心收录:

学科分类:08[工学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 

主  题:钨极氩弧焊 接触引弧 绝缘栅双极晶体管 

摘      要:进行了电源主电路各部分压降的理论分析和试验 ,确定了 2 8V超低空载电压 .在讨论了GTAW接触引弧过程的信号特征和弧源系统动态稳定判据的基础上 ,设计了特征信号快速采集和逻辑判断系统 ,通过工作在模拟区域 IGBT管的快速信号传递特性实现电源外特性的切换 ,并研制成功了适应薄板小电流焊接电源 .在进一步分析了接触引弧过程电参数曲线的基础上 ,提出了接触引弧过程中微弧段与建弧段的概念 ,指出微弧段的建立是接触引弧成功的关键 .

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