模拟型IGBT管接触引弧GTAW电源的研究
Investigation on Analogue Insulated Gate Bipolar Transistor Power Source of Gas Tungsten Arc Welding with Touch Igniting Technique作者机构:上海交通大学材料科学与工程学院上海200030
出 版 物:《上海交通大学学报》 (Journal of Shanghai Jiaotong University)
年 卷 期:2000年第34卷第12期
页 面:1615-1617,1630页
核心收录:
学科分类:08[工学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)]
摘 要:进行了电源主电路各部分压降的理论分析和试验 ,确定了 2 8V超低空载电压 .在讨论了GTAW接触引弧过程的信号特征和弧源系统动态稳定判据的基础上 ,设计了特征信号快速采集和逻辑判断系统 ,通过工作在模拟区域 IGBT管的快速信号传递特性实现电源外特性的切换 ,并研制成功了适应薄板小电流焊接电源 .在进一步分析了接触引弧过程电参数曲线的基础上 ,提出了接触引弧过程中微弧段与建弧段的概念 ,指出微弧段的建立是接触引弧成功的关键 .