纳米磨料对硅晶片的超精密抛光研究
Study on Ultra-Precision Polishing of Silicon Wafer by Nanosized Abrasives作者机构：江苏工业学院材料系江苏常州213016 河海大学材料系江苏南京210098 江苏大学机械学院江苏镇江212013
出 版 物：《摩擦学学报》 (Tribology)
年 卷 期：2004年第24卷第4期
页 面：332-335页
核心收录：
学科分类：080503[工学-材料加工工程] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0802[工学-机械工程] 080201[工学-机械制造及其自动化]
摘 要：采用均相沉淀法制备了纳米CeO2和纳米Al2O3超细粉体,将所制备的超细粉体配制成抛光液并用于硅晶片化学机械抛光,考察了纳米磨料对硅晶片抛光效果及抛光机理的影响.结果表明,纳米CeO2磨料的抛光效果优于纳米Al2O3磨料,采用纳米CeO2磨料抛光硅晶片时可以得到在1μm×1μm范围内微观表面粗糙度Ra为0.089nm的超光滑表面,且表面微观起伏较小.
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