考虑悬浮哑元的结构化随机行走电容提取算法

作     者：孙泽武 朱恒亮 曾璇 

作者机构：复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203 

出 版 物：《复旦学报（自然科学版）》 (Journal of Fudan University：Natural Science)

年 卷 期：2014年第53卷第1期

页      面：9-16,23页

核心收录：

学科分类：080801[工学-电机与电器] 0808[工学-电气工程] 08[工学] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61006030 61106032) 国家十二五科技重大专项资助项目(2011ZX01035-001001-003) 

主　　题：电容提取 悬浮哑元 随机行走 区域分解 

摘      要：为了解决化学机械抛光(CMP)工艺带来的芯片平整性问题,集成电路制造工艺越来越多地选择向电路版图中填充金属哑元.然而,电路中的大量金属哑元大幅增加了互连线的寄生电容值.在提取含大量哑元电路的寄生电容时,传统寄生电容提取算法的效率会受到明显影响.提出了一种基于随机行走的寄生电容提取算法,利用区域分解技术,将哑元区域划分为多个子区域,通过对具有相同结构的标准子区域建立宏模型,并计算其马尔可夫转移矩阵,利用转移概率实现哑元区域内的行走.同传统算法相比,在保证提取精度的前提下,方法具有更快的提取速度.此外,宏模型的建立可以避免对标准哑元结构的重复计算,提高计算结果的复用率.