电纺直写纳米纤维在图案化基底的定位沉积

作     者：李文望 郑高峰 王翔 孙道恒 LI Wen-wang;ZHENG Gao-feng;WANG Xiang;SUN Dao-heng

作者机构：厦门大学机电工程系福建厦门361005 厦门理工学院机械工程系福建厦门361005 

出 版 物：《光学精密工程》 (Optics and Precision Engineering)

年 卷 期：2010年第18卷第10期

页      面：2231-2238页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0821[工学-纺织科学与工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 082103[工学-纺织化学与染整工程] 

基　　金：国家863高技术研究发展计划资助项目(No.2007AA04Z308) 国家自然科学基金资助项目(No.50675184 50875222) 福建省高校新世纪优秀人才支持计划项目(2007) 福建省教育厅科技计划资助项目(No.JA06060) 

主　　题：近场静电纺丝 纳米纤维 定位沉积 

摘      要：为进一步提高单根电纺丝纳米纤维的定位沉积和形貌控制水平,基于近场静电纺丝技术,研究了单根直写纳米纤维在无图案硅基底的沉积行为;仿真分析了图案化硅基底上方的空间电场分布;采用图案化硅基底作为收集板,实验考察了微图案形状、收集运动速度等因素对单根纳米纤维定位沉积的影响规律。实验结果显示,电纺直写技术具有良好的定位精度,可将直径为100～800 nm的纳米纤维精确定位于直径仅为1.6μm的圆形微图案阵列上表面;收集板运动速度较小时,受电场力影响纳米纤维沉积轨迹将朝微图案偏移7μm;收集板运动速度进一步减小时,纳米纤维在基底微图案附近或上表面产生聚集;长条形微图案对纳米纤维沉积过程具有良好的引导与约束作用。得到的结果表明,基于近场静电纺丝的直写技术可较好地实现单根纳米纤维在图案化硅基底的精确定位沉积。