Pt插层对Co/FeMn界面的影响
Effect of Pt spacers on the interface of Co/FeMn作者机构：北京科技大学材料物理与化学系北京100083
出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)
年 卷 期：2009年第58卷第11期
页 面：7977-7982页
核心收录：
学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0704[理学-天文学]
基 金：国家自然科学基金(批准号:50831002 50871014 50671008)资助的课题~~
摘 要：采用磁控溅射的方法制备了Co/FeMn/Co多层膜,研究了Co(底部)/FeMn和FeMn/Co(顶部)界面插入Pt层后磁矩的变化情况.通过测量磁滞回线可知,Co(底部)/FeMn界面的Pt插层改变了体系的饱和磁化强度Ms,随着Co层厚度(tCo)的增加Ms不断趋近于Co块体结构理论值1440kA/m.这是因为Co(底部)/FeMn界面产生了净磁矩,而界面处的Pt插层可以减少这种净磁矩的产生.但是,FeMn/Co(顶部)界面却表现出了与Co(底部)/FeMn界面不同的性质,其界面的Pt插层对磁矩影响很小.
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