铜互连多层膜系中自对准CuSiN层的微结构及其热稳定性

作     者：刘波 唐文进 宋忠孝 徐可为 LIU Bo;TANG Wenjin;SONG Zhongxiao;XU Kewei

作者机构：西安交通大学金属材料及强度国家重点实验室西安710049 

出 版 物：《金属学报》 (Acta Metallurgica Sinica)

年 卷 期：2007年第43卷第11期

页      面：1145-1148页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 

基　　金：国家重点基础研究发展计划项目2004CB619302 国家自然科学基金项目50531060资助~~ 

主　　题：铜互连 自对准CuSiN 热稳定性 介质扩散阻挡层 

摘      要：通过等离子体与Cu膜表面的分步反应合成了厚约4nm的CuSiN自对准层.采用高分辨透射电子显微术(HRTEM)、纳米电子束探针能谱(EDS)和X射线衍射(XRD)表征CuSiN和Si/SiO_2/TaN/Ta/Cu(CuSiN)/SiC:H/SiOC:H多层膜基体系的微结构和热稳定性.表明CuSiN层两侧分别出现SiN和Cu(Si)层,显著提高Cu/SiC:H/SiOC:H结构的热稳定性,其机制是在500℃退火温度条件下CuSiN层仍能够稳定存在,从而阻碍了Cu原于向SiC:H/SiOC:H介质薄膜体内的扩散.