放电处理高分子薄膜场致发射阴极的研究

作     者：彭俊彪 程兰 赖国洪 曹镛 Peng Jun-biao;Cheng Lan;Lai Guo-hong;Cao Yong

作者机构：华南理工大学高分子光电材料与器件研究所广东广州510640 

出 版 物：《华南理工大学学报（自然科学版）》 (Journal of South China University of Technology(Natural Science Edition))

年 卷 期：2005年第33卷第12期

页      面：1-4页

核心收录：

学科分类：080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(90201023) 国家"973"计划资助项目(2002CB613405) 

主　　题：高分子薄膜 场致发射 放电处理 

摘      要：考察了聚苯胺(PANI-CSA)、聚对苯乙烯磺酸(PEDOT)、聚乙烯咔唑(PVK)和聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)4种高分子薄膜经放电处理后的场致电子发射性能.首先将这些材料配制成溶液分别在ITO玻璃衬底上旋涂成膜,放入真空测试箱中,通过放电处理这些薄膜的表面;再将处理好的薄膜作为阴极发射体.文中比较了这些薄膜的场致发射阈值电压、电流-电压特性曲线以及相应的福勒-诺德海姆(F-N)曲线,测试了这4种高分子薄膜的电导率,比较电导率对放电处理结果的影响.实验证明,电场作用下高分子薄膜的电子发射能力和电导率有关,具较高电导率的高分子薄膜经表面放电处理后其发射能力更强.