强激光作用下单晶硅的热畸变特性研究
Study of Thermal Deformations of Silicon Substrate Subjected to Irradiation of High Power Laser作者机构：河南师范大学物理与信息工程学院河南新乡453007 华中科技大学激光技术与工程研究院武汉430074
出 版 物：《河南师范大学学报（自然科学版）》 (Journal of Henan Normal University(Natural Science Edition))
年 卷 期：2005年第33卷第3期
页 面：36-38页
学科分类：080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 0803[工学-光学工程]
基 金：国家自然科学基金项目(69878008) 国家高技术研究发展计划(863) 国家重点基础研究发展计划(973)
摘 要：高功率激光已经广泛应用于核聚变、激光加工、激光化学以及材料处理等领域.在强激光的辐照下,由于大量光子进入材料体内被吸收,局部蓄热,因而形成较大的温度场梯度.考虑到有限厚介质的表面热对流,利用格林函数方法理论计算了硅基板的三维温度分布和热变形,给出了硅基板温度分布和热变形跟基片半径和厚度的关系表示式以及关系曲线图.计算结果表明:温升不仅与介质的吸收系数密切相关,而且与对流换热系数有关.在激光照射的初始阶段,基片热变形量迅速增加;其后,随着激光照射时间的增加,热变形增加量逐步变缓.
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