Si_3N_4/SiO_2复合栅介质电离辐照的电子能谱分析

作     者：范隆 郝跃 严荣良 陆妩 

作者机构：西安电子科技大学微电子所陕西西安710071 中国科学院新疆物理研究所新疆乌鲁木齐830011 

出 版 物：《西安电子科技大学学报》 (Journal of Xidian University)

年 卷 期：2003年第30卷第3期

页      面：302-305页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 

基　　金：国家部委预研基金资助项目(98J11 2 12 ZK0801) 

主　　题：Si3N4/SiO2复合栅介质 电离辐照 X光激发电子能谱 氢离子刻蚀 Si过渡态 

摘      要：采用氩离子刻蚀X光激发电子能谱分析方法对Si3N4/SiO2/Si复合栅介质系统进行电离辐照剖析.实验结果表明存在一个由Si3N4和SiO2构成的界面区及由SiO2和Si构成的界面区,电离辐照能将SiO2/Si界面区中心向Si3N4/SiO2界面方向推移,同时SiO2/Si界面区亦被电离辐照展宽;电离辐照相当程度地减少位于SiO2/Si界面至Si衬底之间Si过渡态的浓度.在同样偏置电场中辐照,随着辐照剂量的增加SiO2/Si界面区中Si过渡态键的断开量也增加,同时辐照中所施偏置电场对SiO2/Si界面区Si过渡态键断开有显著作用.并对实验现象进行了机制分析.