合成回路用高压电抗器过电压分析及电场仿真
Overvoltage Analysis and Electric Field Simulation of High Voltage Reactor in Synthetic Circuit作者机构：西安高压电器研究院有限责任公司西安710077 西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室西安710049
出 版 物：《高压电器》 (High Voltage Apparatus)
年 卷 期：2012年第48卷第7期
页 面：31-37页
学科分类：080801[工学-电机与电器] 0808[工学-电气工程] 08[工学]
摘 要：高压电抗器在合成回路中为开断电流后的断路器提供恢复电压,断路器动作导致电路参数的瞬时变化,使电路中的电流和电压波形在高压电抗器和电容元件之间产生振荡,由此产生的过电压将威胁合成回路的安全运行。笔者根据试验单位提供的合成回路及具体运行工况,利用PSCAD对其运行回路进行电路仿真,得到相应的电流和电压波形,并以此为边界条件,利用ANSYS对高压电抗器进行仿真得到空间电场强度,并提出合适的结构参数来改善电抗器局部电场分布。结果表明:电路仿真在考虑电抗器杂散电容后,电流和电压波形出现极大振荡,此时电抗器两端的电压峰值可作为仿真边界条件。由电场仿真结果可知,电场强度的分布与电抗器的结构布置和对地电位有关,并以对地电位最大的电抗器两端的电场强度最明显,且主要集中在均压环处。通过选择合适的均压环尺寸,可以有效地降低该处电场强度。
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