Co掺杂SnO_2纳米粉的微结构和磁学性质

作     者：刘春明 方丽梅 祖小涛 W.L．Zhou LIU Chun-ming;FANG Li-mei;ZU Xiao-tao;W.L.Zhou

作者机构：电子科技大学物理电子学院成都610054 Advanced Materials Research Institute Univ. of New Orleans New Orleans LA 70148 

出 版 物：《电子科技大学学报》 (Journal of University of Electronic Science and Technology of China)

年 卷 期：2006年第35卷第3期

页      面：409-411,432页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(10376006) 新世纪优秀人才支持计划资助项目 四川省青年科学基金资助项目(03ZQ026-059) 

主　　题：SnO2 微结构 磁学性质 光吸收谱 

摘      要：采用湿化学方法制备了Co掺杂的二氧化锡纳米粉(Sn1-xCoxO2),经研究发现,Co以离子形式存在,而不是以单质形式存在,样品中除了金红石型的SnO2相之外,没有发现其他杂质的相,随着Co掺杂含量的增加,晶粒尺寸减小,光吸收谱红移,禁带宽度线性下降。钴离子磁矩随掺杂含量的增加而减小,这可能是由于占据晶格上近邻阳离子位置的磁性离子数目增加使磁性离子成反铁磁性排列的结果。