SnO_2-Si光电极制备及其降解污染物性能

作     者：马瑞芬 于洪涛 吴帅 陈硕 MA Ruifen;YU Hongtao;WU Shuai;CHEN Shuo

作者机构：大连理工大学环境学院辽宁大连116024 

出 版 物：《大连理工大学学报》 (Journal of Dalian University of Technology)

年 卷 期：2019年第59卷第1期

页      面：14-19页

核心收录：

学科分类：0810[工学-信息与通信工程] 083002[工学-环境工程] 0830[工学-环境科学与工程（可授工学、理学、农学学位）] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0704[理学-天文学] 0701[理学-数学] 0812[工学-计算机科学与技术（可授工学、理学学位）] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(21377020) 

主　　题：光电催化 SnO2 Si 保护层 

摘      要：通过化学气相沉积法,在清洁的n型Si表面制备SnO_2薄膜作为保护层,得到SnO_2-Si光电极.采用TEM、SEM、XRD、XPS、DRS等对其进行表征,研究了其在模拟太阳光下光催化降解苯酚的性能.在不同沉积温度下得到的样品中,400℃沉积得到的样品结晶度相对最高.SnO_2层厚度为230nm时SnO_2-Si光电极光电流响应最强,且分解水起始电位较正,用于降解污染物时可避免分解水副反应的发生.在中性、酸性、碱性电解质溶液中,其循环伏安曲线衰减均不明显,证明SnO_2-Si光电极具有稳定的光电化学性能.在可见光光电催化条件下,偏压为1.8V时,其苯酚的去除率达到100%,TOC去除率达到21%.