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镍薄膜对化学气相沉积法生长石墨烯的影响

Effect of Nickel Film on Growth of Graphene by Chemical Vapor Method

作     者:宋香莲 宋力昕 张涛 SONG Xianglian;SONG Lixin;ZHANG Tao

作者机构:中国科学院特种无机涂层重点实验室中国科学院上海硅酸盐研究所上海200050 中国科学院大学北京100049 

出 版 物:《硅酸盐学报》 (Journal of The Chinese Ceramic Society)

年 卷 期:2015年第43卷第12期

页      面:1795-1799页

核心收录:

学科分类:07[理学] 08[工学] 

主  题:石墨烯  化学气相沉积法 薄膜厚度 

摘      要:通过电子束蒸发法在石英玻璃表面沉积得到镍薄膜,研究了镍薄膜厚度及保温时间对化学气相沉积(CVD)石墨烯生长的影响。结果表明,镍薄膜的厚度及生长时间均对石墨烯的生长有重要影响。镍薄膜厚度小于70 nm时,容易在石英基材表面发生去湿现象及Ostwald熟化,使得镍在石英表面凝聚成小颗粒;而适当增加镍薄膜的厚度,能够减少退火后薄膜表面的孔洞及缺陷,保证石墨烯薄膜的质量。当CVD过程中保温时间小于5 min时,石墨烯在镍表面难以形成完整的膜;而保温时间超过15 min后,则容易生长为石墨,而非石墨烯。适当厚度的镍薄膜及保温时间是制备大尺寸高质量石墨烯薄膜的前提。

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