脉冲激光沉积c轴取向BiCuSeO外延薄膜及其热电性能

作     者：袁大超 郭双 郝建军 马跃进 王淑芳 YUAN Dachao;GUO Shuang;HAO Jianjun;MA Yuejin;WANG Shufang

作者机构：河北农业大学机电工程学院保定071001 河北大学物理科学与技术学院保定071002 

出 版 物：《材料导报》 (Materials Reports)

年 卷 期：2019年第33卷第1期

页      面：152-155页

核心收录：

学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金(51372064 11703004) 河北省自然科学基金(E2017201227 E2017201209 QN2017017)~~ 

主　　题：铋铜硒氧外延薄膜 c轴取向 热电性能 脉冲激光沉积 

摘      要：利用脉冲激光沉积技术在SrTiO3单晶基片上制备了BiCuSeO薄膜并详细研究了沉积温度对薄膜晶体结构、微观形貌及热电输运性能的影响。在最佳沉积温度(330℃)下,所制备的BiCuSeO薄膜不含任何杂相且沿c轴取向外延生长,与基片的外延关系为[010]SrTiO3∥[010]BiCuSeO和[001]SrTiO3∥[100]BiCuSeO。电学性能测试表明该薄膜在20～350 K内均表现出金属导电特性,室温电阻率仅为12.5 mΩ·cm,远低于相应的多晶块体材料。计算所得的室温功率因子PF约为3.3μW·cm-1·K-2,高于相应的多晶块体材料,表明c轴取向BiCuSeO外延薄膜在薄膜热电器件领域具有重要的应用前景。