磁控溅射制备Ru-B薄膜的研究

作     者：殷聪朋 管伟明 张俊敏 刘洪江 陈勇 张昆华 YIN Congpeng;GUAN Weiming;ZHANG Junmin;LIU Hongjiang;CHEN Yong;ZHANG Kunhua

作者机构：昆明贵金属研究所稀贵金属综合利用新技术国家重点实验室昆明650106 

出 版 物：《贵金属》 (Precious Metals)

年 卷 期：2013年第34卷第2期

页      面：5-9,14页

学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 

基　　金：国家自然科学基金(51262015) 云南省应用基础研究重点项目(2010ZC261) 云南省应用基础研究项目(2010ZC55)资助 

主　　题：金属材料 超硬薄膜 磁控溅射 Ru—B薄膜 表面形貌 

摘      要：采用射频磁控溅射技术制备了Ru-B薄膜,利用掠入射X射线衍射(GIXRD)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、原子力显微镜(AFM)等分析技术对薄膜的相结构、沉积速率以及表面形貌进行了研究分析。结果表明:在室温下制备的Ru-B薄膜均为非晶态。薄膜的沉积速率不随溅射时间变化,但随溅射功率的增加而增大。薄膜表面光滑致密质量良好,随着溅射时间的延长,薄膜表面晶粒大小和粗糙度增大。溅射功率影响着基片表面粒子的形核长大和迁移扩散速率,进而影响薄膜的表面形貌。