业界首款全SiC功率模块问世：开关效率提升10倍
出 版 物：《新材料产业》 (Advanced Materials Industry)
年 卷 期：2015年第11期
页 面：78-78页
学科分类：080902[工学-电路与系统] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
主 题：功率模块 开关效率 SiC 硅芯片技术 CREE公司 IGBT模块 碳化硅 行业标准
摘 要：世强代理的CAS300M17BM2碳化硅功率模块采用行业标准的62mm外壳，能方便地替换其他同类型产品，该产品采用CREE公司的C2M TM大面积碳化硅芯片技术。该技术的成功应用使得该半桥模块具有绝佳的8mΩ的导通电阻和照比现有硅功率模块技术高达10倍的开关效率，并有能力完全取代现有额定电流为400A或更高的硅材料IGBT模块。这款在性能上具有突破性进展的新式1．7kV全碳化硅功率模块能够使工程师们在缩减模块尺寸、减少磁性和降温元件成本的同时获得更高的系统效率和可靠性。
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