氩气对直流弧光放电PCVD金刚石薄膜晶体特征的影响

作     者：张湘辉 汪灵 龙剑平 常嗣和 

作者机构：成都理工大学材料与化学化工学院成都610059 成都理工大学金刚石薄膜实验室成都610059 

出 版 物：《人工晶体学报》 (Journal of Synthetic Crystals)

年 卷 期：2010年第39卷第1期

页      面：130-134页

核心收录：

学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 

基　　金：国家自然科学基金(No.40572030 50974025) 四川省科技厅重点科技攻关项目(05GG021-001) 四川省教育厅自然科学重点科研项目(2003A142) 成都理工大学研究基金项目(2005GY02) 四川省教育厅自然科学项目(07ZB009) 

主　　题：金刚石薄膜 晶体特征 直流弧光放电等离子体CVD 

摘      要：本文采用自主研制的直流弧光放电等离子体CVD设备,在YG6硬质合金基体上进行了不同氩气流量下金刚石薄膜的制备研究。采用SEM对金刚石薄膜的晶体特征进行了观察。结果表明,氩气对直流弧光放电等离子体CVD金刚石薄膜的晶体特征有明显影响。在CH4/H2恒定时(0.8%),硬质合金基体上制备的金刚石薄膜表面形貌随Ar流量增加而变化的规律,即从以(111)八面体晶面为主→(111)和(100)立方八面体混杂晶面→以(100)立方体晶面为主→菜花状的顺序转变;当Ar流量为420～700mL/min时,金刚石晶粒的平均尺寸由1.5μm逐步增大到7μm;Ar流量为700～910mL/min时,金刚石晶粒的平均尺寸由7μm急剧减小到纳米尺度,约50nm。