气离溅射离子镀制氮化钛

作     者：董骐 罗蓉平 张守忠 杜建 钟钢 田凯 文学春 刘祥武 Dong Qi;Luo Rongping;Zhang Shouzhong;Du Jian;ZHONG Gang;TIAN Kai;Wen Xuechun;Liu Xiangwu

作者机构：北京丹普表面技术有限公司北京100096 

出 版 物：《真空科学与技术学报》 (Chinese Journal of Vacuum Science and Technology)

年 卷 期：2005年第25卷第1期

页      面：69-74页

学科分类：080503[工学-材料加工工程] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 

主　　题：离子镀 氮化钛 磁控溅射 膜层 离子轰击 金属 镀膜 空分 离子源 中频电源 

摘      要：本文详细介绍了气体离子源增强磁控溅射 (气离溅射 )反应离子镀膜技术和系统配置。特别是首次提出空分气离溅射的新概念 ,实现了磁控溅射金属镀膜过程和气体离子轰击化学反应过程在真空室内空间上的分离 ,从而保证空分气离溅射反应离子镀膜过程的长时间稳定性、重复性和一致性。当磁控溅射源采用中频电源驱动、最新开发的气体离子源采用脉冲直流电源后 ,实现了最佳的设备组合 ,可镀制出高品质的TiN膜层。