电压互感器“低校高”法的发展与应用
Development of Error Characteristics Simulation on Voltage Transformers作者机构：武汉高压研究所武汉430074 辽宁省计量科学研究院沈阳110006 华东电力试验研究院上海2000437
出 版 物：《高电压技术》 (High Voltage Engineering)
年 卷 期：2002年第28卷第8期
页 面：38-42,45页
核心收录：
学科分类：080801[工学-电机与电器] 0808[工学-电气工程] 08[工学]
摘 要：通过对电压互感器 (PT)“低校高法误差数学模型的分析研究 ,提出了更为先进的低压励磁仿真方法。该法通过测量 PT二次回路励磁电流在分流器上的压降与所施加电压的比 ,模拟一次绕组内阻抗压降产生的误差。根据实测或电气结构计算得到一次绕组的电阻和漏电抗 ,再结合励磁误差测量结果即可计算出各试验电压下被测 PT的误差和测量结果的不确定度。此法无需高压电源装置和高电压标准装置 。
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