体块氧化锌单晶生长的研究进展
RESEARCH PROGRESS ON GROWING OF BULK ZnO SINGLE CRYSTAL作者机构：山东大学晶体材料国家重点实验室济南250100 衡水学院应用化学系河北衡水053000
出 版 物：《硅酸盐学报》 (Journal of The Chinese Ceramic Society)
年 卷 期：2009年第37卷第2期
页 面：325-330页
核心收录：
学科分类：07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学]
基 金：国家自然科学基金委重大基金(11250005150502)资助项目
摘 要：氧化锌(ZnO)是一种极其重要的半导体材料,具有宽带隙(3.37eV)和高激子结合能(60meV),适合制作短波长发光二极管和激光二极管。综述了体块ZnO单晶的主要生长方法:化学气相输运法、水热法、助溶剂法的原理和优缺点;着重探讨了水热法和助溶剂法的生长参数及所生长ZnO单晶的特征;结合KOH+H2O体系,论述了助熔剂法的反应机理。介绍了体块ZnO单晶中存在的缺陷及其对ZnO性质的影响。
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