Hg_(1-x)Cd_xTe梯度带隙薄膜材料生长及红外透射光谱研究

作     者：焦翠灵 王仍 张莉萍 林杏潮 邵秀华 杜云辰 陆液 JIAO Cui-ling;WANG Reng;ZHANG Li-ping;LIN Xin-chao;SHAO Xiu-hua;DU Yun-chen;LU Ye

作者机构：中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室上海200083 

出 版 物：《光子学报》 (Acta Photonica Sinica)

年 卷 期：2015年第44卷第8期

页      面：6-9页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金(Nos.61106097 61204134 11304335) 中科院三期创新项目(No.CX-26/Q-ZY-87/Q-ZY-88) 中国载人航天工程资助 

主　　题：碲镉汞 梯度带隙 雪崩光电二极管 红外透射光谱 气相外延薄膜 

摘      要：利用气相外延法生长了Hg1-xCdxTe梯度带隙薄膜材料,通过小光点红外透射光谱测试,研究了材料的横向组分波动.利用多层模型和膜系传递矩阵对该薄膜材料的红外透射光谱和气相外延薄膜材料的纵向组分分布进行计算,计算结果与实验吻合,材料纵向组分分布与通过能谱测量的样品截面组分变化趋势一致.用光伏器件的制作工艺,选取气相外延生长的Au掺杂中波材料,制备了10元线列器件,测试结果表明器件性能较好,95K黑体D*λP可达4.20×1011(cm·Hz1/2·W-1).