三端双向负阻晶体管的模拟与实验
Simulation and Experimental of Three-Terminal Bidirectional Negative Resistance Transistor作者机构：天津大学电子信息工程学院微电子系天津300072
出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)
年 卷 期：2004年第25卷第8期
页 面：986-990页
核心收录：
学科分类：08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）]
基 金：国家重点基础研究发展规划资助项目 (批准号 :2 0 0 2 CB3 1190 5)~~
摘 要：对双向负阻晶体管 (BNRT)的三端特性进行了研究 .根据器件模拟得到了器件内部电势和电场分布 ,解释了S型负阻特性产生机理 .分别从模拟和实验得到了输出负阻曲线随控制极电压变化的情况 ,结果表明 ,随控制电压的增大 ,转折电压、转折电流和维持电压均增大 .模拟结果和实验结果一致 .BNRT的三端化实现 ,克服了两端应用的诸多缺点 。
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