高亮度InGaN基白光LED特性研究
CHARACTERISTICS OF HIGH BRIGHTNESS InGaN-BASED WHITE LIGHT EMITTING DIODES作者机构：北京大学物理学院介观物理国家重点实验室北京1000871 北京大学宽禁带半导体研究中心
出 版 物：《红外与毫米波学报》 (Journal of Infrared and Millimeter Waves)
年 卷 期：2002年第21卷第5期
页 面：390-392页
核心收录：
基 金：国家"8 63"计划招标项目 (批准号 2 0 0 1AA3 13 14 0 ) ~~
摘 要：利用自行研制的InGaN GaNSQW蓝光LED芯片和YAG :Ge3 + 荧光粉制作了高亮度白光LED(Φ3) ,并对其发光强度、色度坐标、I V、色温及显色性等特性进行了研究 .实验结果表明 :室温下 ,正向电流为 2 0mA时 ,白光LED的轴向发光强度为 1 1～ 2 3cd ,正向电压小于 3 5V ,色度坐标为 (0 2 8,0 34) ,显色指数约为 70 .
维普期刊数据库
同方期刊数据库