磁控溅射制备的W,WSi_2,Si单层膜和W/Si,WSi_2/Si多层膜应力

作     者：黄秋实 李浩川 朱京涛 王晓强 蒋励 王占山 唐永建 Huang Qiush;Li Haochuan;Zhu Jingtao;Wang Xiaoqiang;Jiang Li;Wang Zhanshan;Tang Yongjian

作者机构：同济大学物理系精密光学工程技术研究所上海200092 上海市特殊人工微结构材料与技术重点实验室上海200092 中国工程物理研究院激光聚变研究中心四川绵阳621900 

出 版 物：《强激光与粒子束》 (High Power Laser and Particle Beams)

年 卷 期：2011年第23卷第6期

页      面：1659-1662页

核心收录：

学科分类：0808[工学-电气工程] 070207[理学-光学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 08[工学] 0803[工学-光学工程] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金项目(10773007,10704056) 科技部国际交流与合作专项项目(2008DFA01920) 

主　　题：应力 形变 多层膜 磁控溅射 X射线 

摘      要：采用直流磁控溅射技术制备了厚度约100nm的W,WSi2,Si单层膜和周期约为20nm,Si膜层厚度与周期的比值为0.5的W/Si,WSi2/Si周期多层膜。利用台阶仪对镀膜前后基底表面的面形进行了测试,计算并比较了不同膜系的应力值。结果表明:W单层膜表现出较大的压应力,而W/Si周期膜则表现为张应力。WSi2单层膜和WSi2/Si周期多层膜均表现为压应力,没有应力突变,应力特性最为稳定。因此,WSi2/Si材料组合是研制大膜对数X射线多层膜较好的材料组合。