ULSI铜多层布线中钽阻挡层CMP抛光液的研究与优化
Study and Optimization of CMP Slurry Used to Tantalum Barrier Layer of Copper Interconnection in ULSI作者机构：河北工业大学微电子研究所天津300130
出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)
年 卷 期：2004年第25卷第12期
页 面：1726-1729页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
基 金：国家自然科学基金 (批准号 :60 1760 3 3 ) 河北省自然科学基金 (批准号 :5 0 2 0 2 9)资助项目
摘 要：以高浓度纳米 Si O2 水溶胶为磨料 ,H2 O2 为氧化剂的碱性抛光液 ,研究了适用于终抛铜 /钽的 CMP抛光液 .通过调节 p H值 ,降低抛光液的氧化 ,增强有机碱的作用 ,来降低铜的去除速率并提高钽的去除速率 ,得到了很好的铜 /钽抛光选择性 .
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