掺杂纳米硅薄膜的生长特性
Growth Characteristic of Doped Hydrogenated Nanocrystalline Silicon Films作者机构：北京航空航天大学理学院
出 版 物：《北京航空航天大学学报》 (Journal of Beijing University of Aeronautics and Astronautics)
年 卷 期：2002年第28卷第2期
页 面：181-185页
核心收录：
学科分类：08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0802[工学-机械工程] 0825[工学-航空宇航科学与技术]
基 金：国家博士后科学基金项目资助 留学回国人员科研启动基金项目资助 ( 2 0 0 2 9)
摘 要：采用等离子增强化学气相沉积 (PECVD)方法成功的沉积出掺杂(主要是磷、硼 )纳米硅薄膜 .探讨了各种生长工艺条件对掺杂纳米硅薄膜的结构与性能的影响及其规律 .利用高分辨电镜 (HREM)、Raman散射等手段对掺入不同杂质后的纳米硅薄膜的微结构进行初步研究 ,并从实验和理论上对掺杂纳米硅薄膜的生长特性进行了探讨 .得出掺杂纳米硅薄膜具有与掺杂非晶硅薄膜和掺杂微晶硅薄膜不同的生长特性 ,即杂质原子绝大部分是非活性的 ,只有很少一部分在薄膜中起施主作用 .
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