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MEMS微波功率传感器等效电路模型的研究

Research on the equivalent circuit model of MEMS microwave power sensor

作     者:白雪婧 胡加杨 李龙飞 王德波 Bai Xuejing;Hu Jiayang;Li Longfei;Wang Debo

作者机构:南京邮电大学电子与光学工程学院南京210046 

出 版 物:《仪器仪表学报》 (Chinese Journal of Scientific Instrument)

年 卷 期:2018年第39卷第12期

页      面:152-159页

核心收录:

学科分类:08[工学] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 081102[工学-检测技术与自动化装置] 0811[工学-控制科学与工程] 

基  金:国家青年自然科学基金(61704086) 江苏省青年自然科学基金(BK20140890) 南京邮电大学国自基金孵化(NY215139,NY217039)项目资助 

主  题:微波功率传感器 等效电路 温度分布 理论模型 灵敏度 

摘      要:为了提高热电式微机电系统(MEMS)微波功率传感器的灵敏度,需要对传感器的热电特性进行研究。首先根据热-电变量之间的等效关系建立了传感器的等效电路模型,利用该模型研究了不同的GaAs衬底厚度对负载电阻电-热转换能力的影响;接着建立理论解析模型研究热传导、热对流、热辐射对不同衬底厚度的传感器的电-热转换能力的影响,推导出相应的负载电阻温度分布,验证了等效电路模型;最终,在等效电路模型的基础上建立灵敏度与噪声系数模型,综合考虑它们之间的制约关系,得到了使传感器综合性能最佳的衬底厚度设计区间。根据建立的等效电路模型,对特定衬底厚度下制备的热电式MEMS微波功率传感器进行实验测试,频率测量范围达到30 GHz,输入微波功率从1 mW增加至100 mW。该功率传感器结构的灵敏度分别为0.184 3 mV/mW@1 GHz、0.130 1 mV/mW@10 GHz、0.101 3 mV/mW@20 GHz、0.071 8 mV/mW@30 GHz,并且该结构具有较大的动态测试范围。

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