磁控溅射制备AlCrWTaTiNb高熵合金薄膜低温等离子体氮化

作     者：马铭 任瑛 侯晓多 陈国清 张贵锋 MA Ming;RE NYing;HOU Xiaoduo;CHEN Guoqing;ZHANG Guifeng

作者机构：大连理工大学材料科学与工程学院辽宁大连116024 大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室辽宁大连116024 河南工业大学材料科学与工程学院河南郑州450001 

出 版 物：《大连理工大学学报》 (Journal of Dalian University of Technology)

年 卷 期：2019年第59卷第1期

页      面：28-34页

核心收录：

学科分类：080503[工学-材料加工工程] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 

基　　金：国家国际科技合作专项(2015DFR60370) 航空科学基金资助项目(20153663010) 

主　　题：多元高熵合金薄膜 低温渗氮 力学性能 

摘      要：采用磁控溅射技术沉积了AlCrWTaTiNb多元高熵合金薄膜,在400℃以下采用高密度等离子体设备对沉积的薄膜进行了氮化处理.用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜和纳米压痕对氮化后薄膜的微观结构、表面形貌以及力学性能进行了分析.结果表明,高熵效应有利于降低氮化温度,最低氮化温度仅为200℃,所有的(AlCrWTaTiNb)N薄膜晶体结构呈现简单的FCC结构,且具有(111)择优取向.随着氮化温度的增加,(AlCrWTaTiNb)N复合薄膜的显微硬度、弹性模量和对应的H3/E2均增大,氮化温度为300℃时,达到最大,随后略微下降.随氮化时间的延长,显微硬度和弹性模量均逐渐增加.