利用漫反射光谱研究SrAl_2O_4长余辉材料中Dy^(3+)和Eu^(2+)相关陷阱能级

作     者：傅佳意 毛启楠 沈东东 席俊华 季振国 FU Jiayi;MAO Qinan;SHEN Dongdong;XI Junhua;JI Zhenguo

作者机构：杭州电子科技大学材料与环境工程学院浙江杭州310018 

出 版 物：《材料科学与工程学报》 (Journal of Materials Science and Engineering)

年 卷 期：2018年第36卷第6期

页      面：898-903页

核心收录：

学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61372025) 

主　　题：铝酸锶 陷阱能级 漫反射光谱 

摘      要：在长余辉发光物理机制的研究中,确定发光材料中的缺陷能级是非常重要的。本文通过高温固相法制备了两组SrAl_2O_4∶Dy^(3+)和SrAl_2O_4∶Eu^(2+)样品,并采用漫反射光谱测定了SrAl_2O_4中一系列与Dy^(3+)和Eu^(2+)相关的吸收峰。对于SrAl_2O_4∶Dy^(3+)和SrAl_2O_4∶Eu^(2+),在其吸收谱的较低能量(长波长)和较高能量(短波长)区域内分别存在一组吸收峰。通过这些吸收峰可确定Dy^(3+)和Eu^(2+)掺杂在SrAl_2O_4带隙中引入的陷阱深度。结果表明Dy^(3+)离子能够在SrAl_2O_4中形成浅能级和深能级陷阱,而Eu^(2+)离子仅会形成浅能级陷阱。与文献报道的陷阱相比较,这些陷阱大部分和其它方法测得的数据相一致,小部分则是首次报道,可能是其它方法的测试范围所限而无法测得。我们认为距离导带0.6至1.2eV范围内的Dy^(3+)相关陷阱在SrAl_2O_4∶(Eu^(2+),Dy^(3+))长余辉发光过程中起着关键的作用。