低温生长GaAs在Nd∶YVO_4激光器中调Q特性的研究

作     者：姜其畅 卓壮 王勇刚 李健 苏艳丽 马骁宇 张志刚 王清月 Jiang Qichang;Zhuo Zhuang;Wang Yonggang;Li Jian;Su Yanli;Ma Xiaoyu;Zhang Zhigang;Wang Qingyue

作者机构：山东师范大学物理与电子科学学院 山大鲁能科技有限责任公司济南250100 中国科学院半导体研究所 天津大学精密仪器与光电子工程学院超快激光实验室 

出 版 物：《光子学报》 (Acta Photonica Sinica)

年 卷 期：2006年第35卷第8期

页      面：1133-1136页

核心收录：

学科分类：080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 0803[工学-光学工程] 

基　　金：山东省科技厅科技攻关计划资助(031080125) 

主　　题：低温生长GaAs 被动调Q Nd:YVO4激光器 半导体抽运 

摘      要：采用一种新型的被动调Q饱和吸收体,低温生长GaAs薄膜,实现了半导体抽运Nd∶YVO4激光器的调Q运转.研究了激光器的调Q特性,调Q抽运阈值为2W.在抽运功率9.2W时,获得的最短脉冲半峰全宽为15ns,最大单脉冲能量为4.84μJ,最高峰值功率为330W,最大平均输出功率为1.16W;脉冲重复频率在220kHz到360kHz之间.