氧化锌锡作为电子传输层的量子点发光二极管
QD-LED devices using ZnSnO as an electron-transporting layer作者机构:浙江大学物理学系杭州310027 浙江大学城市学院杭州310015
出 版 物:《物理学报》 (Acta Physica Sinica)
年 卷 期:2013年第62卷第15期
页 面:536-541页
核心收录:
基 金:国家自然科学基金(批准号:91021020 61275108) 浙江省自然科学基金(批准号:Z610017 Z1110057)资助的课题~~
摘 要:本文研究了以胶状量子点作为发光层和有机/无机混合材料作为电子-空穴传输层的电致发光二极管器件.CdSe量子点以薄膜的形式夹在无机氧化锌锡电子传输层和有机TPD空穴传输层中间构成三明治结构.氧化锌锡电子传输层采用磁控溅射实现,有机TPD空穴传输层和量子点发光层则采用旋涂的方法制备,得到的QD-LEDs器件结构界面陡峭、表面平整.光电特性表征结果显示器件的电致发光具有良好的单色性、低的开启电压,利用具有高电子迁移率和低载流子浓度的无机氧化锌锡薄膜作为电子传输层可以实现器件在大气环境下稳定、明亮的电致发光.本文分析了器件的工作机理并通过改变氧化锌锡的电导率达到控制器件中电子和空穴的注入比的目的,优化了器件的光电性能.