单晶Tm_2O_3高k栅介质漏电流输运机制研究
Leakage current mechanisms of single-crystalline Tm_2O_3 high-k gate dielectrics作者机构：西华师范大学物理与电子信息学院四川南充637002 绍兴文理学院数理信息学院浙江绍兴312000 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433
出 版 物：《功能材料》 (Journal of Functional Materials)
年 卷 期：2012年第43卷第B11期
页 面：318-321页
核心收录：
学科分类：07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 0702[理学-物理学]
基 金：国家自然科学基金资助项目(60806031 11004130 51272159) 浙江省自然科学基金资助项目(Y6100596) 上海市重点基础研究资助项目(10JC1405900)
主 题：单晶Tm2O3薄膜 高k栅介质 肖特基发射 Frenkel-Poole发射
摘 要：利用分子束外延技术在p型Si(001)衬底上外延生长了单晶Tm2O3高k栅介质薄膜,分别在不同温度下测量了薄膜的电流-电压特性。基于变温电流-电压特性数据的漏电流输运机制分析表明,单晶Tm2O3栅介质薄膜在正偏压下的主要漏电流输运机制为肖特基发射,而在负偏压下的主要漏电流输运机制为Frenkel-Poole发射。
维普期刊数据库
同方期刊数据库