有机锗化合物的光电子能谱研究

作     者：李兴林 张瑞峰 于英 Li Xinglin;Zhang Ruifeng(Changchun Institute of Applied Chemistry.Academia Sinica,Changchun 130022)Yu Ying(Changchun Adult-education College of Letter and Science,Changchuh 130022)

作者机构：中国科学院长春应用化学研究所长春市成人文理学院 

出 版 物：《分析测试学报》 (Journal of Instrumental Analysis)

年 卷 期：1994年第13卷第4期

页      面：77-80页

核心收录：

学科分类：081704[工学-应用化学] 07[理学] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 070303[理学-有机化学] 0703[理学-化学] 

主　　题：XPS 有机锗化合物 化学位移 

摘      要：用Ｘ射线光电子能谱法（ＸＰＳ）研究了六种有机锗化合物的Ｇｅ３ｄ轨道电子结合能化学位移与锗所处不同化学环境的关系。结果表明，对Ｇｅ３ｄ轨道电子结合能化学位移有明显影响的关键取决于极性基团。