应变补偿层对量子点生长影响的理论研究
Theoretical study on strain compensation layer for growth of quantum dots作者机构：北京邮电大学信息光子学与光通信研究院信息光子学与光通信教育部重点实验室北京100876
出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)
年 卷 期：2010年第59卷第2期
页 面：765-770页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0702[理学-物理学]
基 金：国家高技术研究发展计划(批准号:2009AA03Z405) 国家自然科学基金(批准号:60644004)资助的课题
摘 要：量子点的光学特性与量子点的大小均匀性、密度、内部应变以及隔离层的厚度等有密切关系.文中从理论角度定量研究了GaNXAs1-X应变补偿层对InAs/GaAs量子点生长质量的改善作用,分析了应变补偿层对隔离层厚度减小的作用.讨论了应变补偿层的补偿位置和补偿层N组分X对量子点生长时局部应变和体系应变的补偿作用.分析了应变补偿层对体系应变的减少作用,并计算了相邻层量子点的垂直对准概率.研究结果对实验中应变补偿的优化和高质量量子点阵列的生长实现提供了理论依据.
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