用化学气相沉积(CVD)法制备硫化锌(ZnS)体块材料中晶体缺陷和生长工艺的研究
Study on Growth Technology and Crystal Defects in ZnS Bulk Crystal Prepared by CVD Method作者机构：中非人工晶体研究院
出 版 物：《人工晶体学报》 (Journal of Synthetic Crystals)
年 卷 期：2002年第31卷第2期
页 面：111-113页
核心收录：
学科分类：07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学]
主 题：CVD 制备 体块材料 晶体缺陷 晶体生长工艺 研究 化学气相沉积法 硫化锌 热等静压 红外透过率
摘 要：本文报道了用化学气相沉积 (CVD)法制备高质量红外光学体块材料硫化锌 (ZnS)的制备工艺 ,研究了晶体缺陷对其光学性能的影响。XRD ,XEM及IR表明 ,采用优化的沉积工艺和热等静压后处理 ,减少晶体中杂质、微孔、六方结构ZnS及Zn H键的形成 ,使生长的CVDZnS具有高的红外透过率 。
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