2,7-二辛基[1]苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩(C8-BTBT)与MoS_2界面的能级匹配与薄膜生长

作     者：吕路 牛冬梅 谢海鹏 曹宁通 高永立 LYU Lu;NIU Dong-mei;XIE Hai-peng;CAO Ning-tong;Gao Yong-li

作者机构：中南大学先进材料超微结构与超快过程研究所湖南长沙410083 Department of Physics and AstronomyUniversity of Rochester 

出 版 物：《发光学报》 (Chinese Journal of Luminescence)

年 卷 期：2015年第36卷第8期

页      面：875-881页

核心收录：

学科分类：0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0827[工学-核科学与技术] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学] 1009[医学-特种医学] 

基　　金：国家自然科学基金(51173205 61306085 11334014)资助项目 

主　　题：光电子能谱 C8-BTBT 能级匹配 分子取向 薄膜生长 

摘      要：结合紫外光电子能谱(UPS)、X射线光电子能谱(XPS)和原子力显微镜(AFM)等实验手段系统研究了C8-BTBT沉积在层状Mo S2基底上的界面能级匹配、薄膜生长和分子取向。研究发现C8-BTBT分子竖直生长在Mo S2上,生长过程中界面的真空能级(VL)、最高占据态轨道(HOMO)和电离能(IP)都出现了非常规的弯曲现象。这种能级弯曲行为可归因于直立分子从界面相到体相的转变过程中,其分子倾斜角(θ)存在一定的渐变,这种渐变会在沿表面法线方向诱导出一系列的层间电偶极,最终导致能级的弯曲。同时θ的变化也会改变薄膜的表面极化强度,引起IP的逐渐减小。能级的弯曲在界面处形成类P-N结的效应会对C8-BTBT基电子器件的性能有很大的影响。