低阻硅TSV与铜TSV的热力学变参分析

作     者：陈志铭 谢奕 王士伟 于思齐 CHEN Zhi-ming;XIE Yi;WANG Shi-wei;YU Si-qi

作者机构：北京理工大学信息与电子学院北京100081 北京理工大学光电学院北京100081 

出 版 物：《北京理工大学学报》 (Transactions of Beijing Institute of Technology)

年 卷 期：2018年第38卷第11期

页      面：1177-1181页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61574016 61774015) 

主　　题：三维集成 硅通孔 热力学特性 有限元分析 

摘      要：硅通孔(through-silicon-via,TSV)是三维集成技术中的关键器件.本文对低阻硅TSV与铜TSV的热力学特性随各项参数的变化进行了比较.基于基准尺寸,比较了低阻硅TSV和铜TSV在350℃的工作温度下,最大von Mises应力和最大凸起高度之间的不同.基于这两种结构,分别对TSV的直径、高度、间距进行了变参分析,比较了不同参数下,两种TSV的热力学特性.结果表明,低阻硅TSV具有更好的热力学特性.