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ULSI多层布线中Cu的CMP技术

CMP of Copper for Multilevel Metallization of ULSI

作     者:王弘英 刘玉岭 王新 檀柏梅 LIU Yuling;WANG Hongying;WANG Xin;TAN Baimei

作者机构:河北工业大学天津300130 

出 版 物:《电子器件》 (Chinese Journal of Electron Devices)

年 卷 期:2001年第24卷第2期

页      面:107-112页

核心收录:

学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学] 

主  题:多层布线  化学机械抛光 浆料 ULSI 集成电路 

摘      要:作者对当前 ULSI多层布线中金属铜的 CMP技术作了系统的介绍 ,对抛光机理、多层布线中铜图案成型技术、浆料目前的种类及成分和表面完美性问题作了详细地分析和论述 ,并对目前存在问题及解决的方法和发展方向进行了讨论。

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