宇航用SRAM存储器单粒子效应试验研究
Study of Single Event Effects on SRAM Memory for Aerospace作者机构：上海航天技术研究院上海201109 上海精密计量测试研究所上海201109
出 版 物：《上海航天》 (Aerospace Shanghai)
年 卷 期：2013年第30卷第3期
页 面：60-64页
学科分类：08[工学] 0825[工学-航空宇航科学与技术]
摘 要：用高能重离子加速器对宇航用典型静态随机(SRAM)存储器进行了单粒子效应模拟试验研究。给出了测试系统、试验样品、辐射源、试验方法及条件,以及所得单位注量重离子引起的单粒子翻转发生次数-线性能量传输值(σ-LET)曲线。讨论了重离子单粒子翻转率预估方法和FOM法,并用后者预估了典型GEO轨道上器件的空间单粒子翻转率。
维普期刊数据库
同方期刊数据库