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一维硅纳米材料的可控制备和机理

Controlled Preparation and Mechanism Study of One-Dimensional Silicon Nanomaterials

作     者:张晓丹 曹阳 贺军辉 Zhang Xiaodan;Cao Yang;He Junhui

作者机构:中国科学院理化技术研究所功能纳米材料实验室 

出 版 物:《化学进展》 (Progress in Chemistry)

年 卷 期:2008年第20卷第7期

页      面:1064-1072页

核心收录:

学科分类:081704[工学-应用化学] 07[理学] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 0703[理学-化学] 070301[理学-无机化学] 

基  金:中国科学院重大科学研究计划项目(NO.2006CB933000)资助 

主  题:一维硅纳米材料 可控制备 生长机理 

摘      要:一维硅纳米材料具有不同于体硅材料的特殊光电性能,在光电子领域具有潜在的应用价值。通过剪裁一维硅纳米材料的尺寸、形貌和化学组分等,可以调控其物理化学性质。因此,探索并实现一维硅纳米材料的可控制备对于其实际应用至关重要。本文综述了一维硅纳米材料可控制备的最新进展,介绍了几种重要的制备方法及其生长机理,比较了不同方法在可控制备一维硅纳米材料中的优缺点,并展望了其未来发展方向。

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