JFET输入运算放大器的增强辐射损伤方法研究
Research on the method of enhancing radiation damage of JFET-input operational amplifiers作者机构：中国科学院新疆理化技术研究所
出 版 物：《核技术》 (Nuclear Techniques)
年 卷 期：2006年第29卷第8期
页 面：627-630页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 080902[工学-电路与系统] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
主 题：运算放大器 结型场效应管 辐射损伤 低剂量率 加速评估
摘 要：本文对结型场效应管JFET输入运算放大器的增强辐射损伤方法进行了研究。结果表明,采用循环辐照—退火的方法可以使JFET输入运算放大器的辐射损伤增强,并且通过调整辐照剂量率、退火温度及时间等参数,可以评测出器件的低剂量率辐射损伤情况。文章还对这种辐射损伤方法的机理进行了分析。
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