各向异性量子点单光子发射的高偏振度特性
High polarization properties of single-photon emission from anisotropic InGaAs quantum dots作者机构：武汉大学物理系武汉430072 中国科学院武汉物理与数学研究所武汉430071 中国科学院物理研究所国际量子结构中心北京100080
出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)
年 卷 期：2005年第54卷第9期
页 面：4141-4145页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0702[理学-物理学]
基 金：国家自然科学基金(批准号:10344002和10474075)资助的课题.~~
主 题：量子点 单光子发射 偏振度 各向异性 光子发射 InGaAs 交叉弛豫 激发 线偏振 关系式
摘 要：研究了线偏振脉冲光场激发下,单个各向异性InGaAs量子点的高偏振光发射.给出其偏振因子与两个正交本征态之间的交叉弛豫之间的关系式.分析表明,交叉弛豫随激发场强度增大,并导致偏振因子随激发场入射脉冲面积减小.
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