基于SOI硅片研制新型P^+-I-N^+双注入磁敏差分电路
New type of P^+-I-N^+ double injection magneto-sensitive difference circuit developted on SOI作者机构：黑龙江大学敏感技术研究所黑龙江哈尔滨150080
出 版 物：《传感器技术》 (Journal of Transducer Technology)
年 卷 期：2005年第24卷第4期
页 面：84-85,88页
核心收录：
学科分类：080202[工学-机械电子工程] 08[工学] 0802[工学-机械工程]
摘 要：阐述基于SOI硅片制造新型P+ I N+双注入磁敏差分电路的设计原理和制造工艺。构成新型P+ I N+双注入磁敏差分电路的磁敏三极管的复合区采用MEMS中的各向异性腐蚀技术进行设置,给出了这种复合区的复合机理。实验结果表明:此种三极管具有磁灵敏度高、噪声低和可靠性高的特点。因此,由这种新型磁敏三极管构成的差分电路具有温度漂移小的优点。
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