常压CVD法合成铌掺杂少层MoS_2（英文）
Synthesis of Nb Doped Few-layered MoS_2 by Ambient Pressure CVD作者机构：吉林师范大学功能材料物理与化学教育部重点实验室吉林长春130103 吉林师范大学物理学院吉林四平136000 吉林师范大学环境友好材料制备与应用教育部重点实验室吉林长春130103 吉林师范大学化学学院吉林四平136000
出 版 物：《发光学报》 (Chinese Journal of Luminescence)
年 卷 期：2018年第39卷第12期
页 面：1654-1658页
核心收录：
学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）]
基 金：国家自然科学基金(61705078,61704065,11374296) 吉林省科技厅发展计划(20180520179JH,20150414003GH)资助项目~~
摘 要：利用粉体NbCl_5作为Nb掺杂源,采用常压CVD方法合成了大尺寸Nb掺杂的少层MoS_2薄膜。通过扫描电子显微镜和原子力显微镜观察获得了该薄膜样品的形貌和厚度信息。拉曼光谱和X射线光电子谱测试证实了Nb被掺入到了MoS_2薄膜中,Nb掺杂的MoS2合金薄膜已经形成。最后,对Nb掺杂的少层MoS_2薄膜的电学性质进行了测试。
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