基于InAs单量子点的单光子干涉
Single-photon interference based on a single InAs quantum dot作者机构：中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室北京100083
出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)
年 卷 期：2011年第60卷第3期
页 面：749-752页
核心收录：
学科分类：070207[理学-光学] 07[理学] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0704[理学-天文学] 0803[工学-光学工程] 0702[理学-物理学]
基 金：国家自然科学基金(批准号:90921015)资助的课题~~
摘 要：利用分子束外延生长InAs单量子点样品,测量了温度为5K时单量子点的荧光(PL)光谱.采用时间关联光子强度测量(HBT)验证了PL光谱具有单光子发射特性.单光子通过马赫曾德尔(MZ)干涉仪,验证了单光子自身具有干涉特性.测量了当MZ干涉仪两臂偏振方向的夹角改变时对应的单光子干涉及条纹可见度的变化.
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