基于PECVD制备多晶硅薄膜研究
Study on Preparation of Polycrystalline Silicon Thin Films by PECVD作者机构：黑龙江大学电子工程黑龙江省高校重点实验室哈尔滨150080 黑龙江大学集成电路重点实验室哈尔滨150080
出 版 物：《人工晶体学报》 (Journal of Synthetic Crystals)
年 卷 期：2006年第35卷第5期
页 面：1151-1154页
核心收录：
学科分类：08[工学] 0807[工学-动力工程及工程热物理]
基 金：黑龙江省教育厅电子工程重点实验室科学技术研究项目(DZZD2006-12) 黑龙江大学集成电路重点实验室项目 黑龙江大学青年科学基金项目(QL200514)
摘 要：基于PECVD以高纯S iH4为气源研究制备多晶硅薄膜,在衬底温度550℃、射频(13.56MHz)电源功率为20W直接沉积获得多晶硅薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)和场发射扫描电子显微镜(SEM)对多个样品薄膜的结晶情况及形貌进行分析,薄膜结晶粒取向均为、、晶向。对550℃沉积态薄膜在900℃、1100℃时进行高温退火处理,硅衍射峰明显加强。结果表明,退火温度越高,退火时间越长,得到多晶硅薄膜表面晶粒趋于平坦,择优取向为晶向,晶粒也相对增大。
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