优化催化剂密度改善碳纳米管薄膜纯度与场发射特性

作     者：李昕 刘君华 窦菊英 刘卫华 朱长纯 

作者机构：西安交通大学电子与信息工程学院西安710049 

出 版 物：《西安交通大学学报》 (Journal of Xi'an Jiaotong University)

年 卷 期：2002年第36卷第10期

页      面：1041-1044页

核心收录：

学科分类：0810[工学-信息与通信工程] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0812[工学-计算机科学与技术（可授工学、理学学位）] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目 (50 0 770 1 6 60 0 360 1 6) 

主　　题：催化剂密度 碳纳米管薄膜 纯度 催化剂颗粒 场发射特性 生长状况 化学气相沉积法 交端效应 

摘      要：对涂敷有不同浓度催化剂的硅基生长出的碳纳米管薄膜的生长状况和特性进行了研究 ,并且获得了催化剂的优化浓度 .在基底上涂敷氢氧化铁溶胶从而引入催化剂颗粒 ,用低压化学气相沉积法生长出碳纳米管薄膜 .工艺表明 ,碳纳米管薄膜的生长状况受到催化剂密度的影响 ,当密度太高时 ,碳纳米管薄膜的尖端效应不明显 ,且杂质含量较高 ;当密度太低时 ,无法生长出均匀的碳纳米管薄膜 .扫描电镜分析和场发射特性测试表明 ,涂敷有优化浓度的催化剂生长出的碳纳米管薄膜 ,具有更明显的尖端效应 ,更高的纯度 ,阈值电压降到 95V .透射电镜观察到的碳纳米管直径为 1 0～1 0 0nm .